[发明专利]半导体测试装置及方法有效
申请号: | 201710756755.8 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107589360B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 张烨;陈亚男;金鹏;郁万成;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体测试装置及方法,半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片,第一金属片与第二金属片相对设置,用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端,第二金属片接地,电源与该第一金属片相连,为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔,激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体,进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中,该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此,可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺,提高了测试的便捷性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 测试 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体测试装置,其特征在于,所述半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片以及第二金属片;所述第一金属片与所述第二金属片相对设置,用于将待测半导体夹设于所述第一金属片和第二金属片之间,以使所述第一金属片及第二金属片分别形成所述待测半导体的金属电极;/n所述第一金属片设置有电流输出端,所述第二金属片接地,所述电源与所述第一金属片相连,为设置在所述第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供偏压;/n所述第一金属片开设有通孔,所述激光器发出的激光穿过所述通孔抵达设置在所述第一金属片与第二金属片之间的待测半导体,进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过所述电流输出端输出,所述瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率;/n其中,所述半导体测试装置采用以下两种方式之一固定待测半导体:/n所述第一金属片及第二金属片设置于滑槽中并可沿所述滑槽滑动,通过滑动所述第一金属片和/或所述第二金属片在所述第一金属片与第二金属片之间形成不同尺寸的间隔,用于放置不同尺寸的待测半导体;或者/n所述第一金属片设置于第一固定轴,所述第二金属片设置于可相对所述第一固定轴伸缩的第二固定轴,通过伸缩所述第二固定轴使所述第一金属片与第二金属片之间形成不同尺寸的间隔,用于放置不同尺寸的待测半导体。/n
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