[发明专利]半导体测试装置及方法

说明书

本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。

技术领域

本发明涉及半导体测试技术领域，具体而言，涉及一种半导体测试装置及方法。

背景技术

目前，载流子迁移率是半导体材料的重要电学指标，常用的半导体载流子迁移率测试方法有霍尔效应法、飞行时间法等。目前，基于飞行时间法的测试方式中，需要首先在被测样品的上下表面电镀贵重复合金属电极(如，钛-金复合金、钛-银复合金等)，再在上电极进行光刻，以使激光入射到被测样品上。采用上述方式，在更换被测样品时，需要重复进行电镀、光刻等复杂工艺，成本昂贵且操作繁琐。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体测试装置及方法，以改善上述问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种半导体测试装置，所述半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片以及第二金属片；所述第一金属片与所述第二金属片相对设置，用于将待测半导体夹设于所述第一金属片和第二金属片之间，以使所述第一金属片及第二金属片分别形成所述待测半导体的金属电极；

所述第一金属片设置有电流输出端，所述第二金属片接地，所述电源与所述第一金属片相连，为设置在所述第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供偏压；

所述第一金属片开设有通孔，所述激光器发出的激光穿过所述通孔抵达设置在所述第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过所述电流输出端输出，所述瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。

可选地，在上述装置中，所述装置还包括波形显示设备，所述波形显示设备与所述电流输出端相连，用于将所述瞬态光电流转换为波形并显示。

可选地，在上述装置中，所述波形显示设备通过前置放大器与所述电流输出端相连，所述前置放大器将所述瞬态光电流进行放大后传输至所述波形显示设备。

可选地，在上述装置中，所述待测半导体的厚度等于所述第一金属片与第二金属片之间的间隔距离，所述待测半导体通过导电粘合剂固定在所述第一金属片及第二金属片之间。

可选地，在上述装置中，所述第一金属片及第二金属片设置于滑槽中并可沿所述滑槽滑动，通过滑动所述第一金属片和/或所述第二金属片在所述第一金属片与第二金属片之间形成不同尺寸的间隔，用于放置不同尺寸的待测半导体。

可选地，在上述装置中，所述第一金属片设置于第一固定轴，所述第二金属片设置于可相对所述第一固定轴伸缩的第二固定轴，通过伸缩所述第二固定轴使所述第一金属片与第二金属片之间形成不同尺寸的间隔，用于放置不同尺寸的待测半导体。

可选地，在上述装置中，所述待测半导体的厚度小于所述第一金属片与第二金属片之间的间隔距离，所述第一金属片与第二金属片之间设置有固定结构，用于将所述待测半导体固定在所述第一金属片与第二金属片之间。

本发明实施例还提供一种半导体测试方法，应用于本发明实施例提供的半导体测试装置，所述方法包括：

将待测半导体固定在第一金属片与第二金属片之间，使待测半导体的两个侧面分别与所述第一金属片及第二金属片贴合，其中，所述第一金属片开设有通孔；