[发明专利]光刻胶图形化方法、半导体结构的制备方法及半导体设备

摘要

本发明提供一种光刻胶图形化方法、半导体结构的制备方法及半导体设备，光刻胶图形化方法包括如下步骤：1）提供一晶圆衬底，晶圆衬底的表面包括多个芯片区域及位于芯片区域外围的边缘区域；2）于晶圆衬底的上表面形成光刻胶层，光刻胶层包括位于晶圆衬底的芯片区域上的第一部位及位于晶圆衬底的晶圆边缘区域上的第二部位；3）于光刻胶层的第二部位的上表面形成环形阻挡层；4）进行全晶圆曝光，以将光刻胶层的第一部位进行图形化处理。本发明的光刻胶图形化方法可以使得位于晶圆衬底边缘区域的光刻胶层不会被图形化，在后续工艺中，可以有效避免在晶圆衬底的边缘区域产生缺陷。

主权项

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1)提供晶圆衬底，所述晶圆衬底的表面包括多个芯片区域及位于所述芯片区域外围的晶圆边缘区域；2)于所述晶圆衬底的上表面形成硬掩膜层；3)于所述硬掩膜层的上表面形成光刻胶层，所述光刻胶层包括位于所述晶圆衬底的所述芯片区域上的第一部位及位于所述晶圆衬底的所述晶圆边缘区域上的第二部位；4)于所述光刻胶层的所述第二部位的上表面形成环形阻挡层，所述环形阻挡层的开孔显露所述光刻胶层的所述第一部位；5)进行全晶圆曝光，以将所述光刻胶层的所述第一部位进行图形化处理，并在所述环形阻挡层的阻挡下，所述光刻胶层的所述第二部位以无处理图形的方式保留在显影制程之后或防止所述光刻胶层在所述晶圆边缘区域中的图形转置；6)依据图形化后的光刻胶层刻蚀所述硬掩膜层，以形成图形化硬掩膜层，其中，所述图形化硬掩膜层具有位在所述芯片区域上且暴露出所述晶圆衬底上表面的通孔或沟槽以及位在所述晶圆边缘区域上的晶圆周边保护环；7)去除所述光刻胶层及所述环形阻挡层；8)于所述图形化硬掩膜层的上表面、图形侧壁及位于所述通孔或沟槽底部的所述晶圆衬底表面形成刻蚀阻挡薄膜层；9)去除位于所述图形化硬掩膜层的上表面及位于所述通孔或沟槽底部的所述刻蚀阻挡薄膜层，并去除所述图形化硬掩膜层，保留步骤8)中位于所述图形化硬掩膜层的所述图形侧壁的所述刻蚀阻挡薄膜层。