[发明专利]一种低成本纳米硅粉及硅碳材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710748946.X 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107681131B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 陈垒;姬秀娟;刘帅帅;黄运军;李玉磊;张书华;张幸杰;王飞;王迪 申请(专利权)人: 河南卓谷科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M10/0525
代理公司: 郑州久信知识产权代理事务所(普通合伙) 41194 代理人: 张清彦
地址: 450000 河南省郑州市中原区*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提出了一种低成本纳米硅粉及硅碳材料的制备方法,步骤如下:(1)将供氢溶剂、硅氧化物、还原剂、催化剂放置于高温高压反应釜中,排除反应釜中的氧气,高温高压反应釜恒温反应,得到反应产物;(2)将步骤(1)得到的反应产物移至索氏抽提器中,将索氏抽提器超声分散清洗,然后将索氏抽提器置于真空干燥箱中,制得纳米硅粉;(3)将制得的纳米硅粉与碳基体湿法研磨后干燥,在惰性气体或还原性气体中于580‑650℃下恒温煅烧5‑10h,制得硅碳材料。本发明采用价格低廉的硅氧化物作为硅源,通过高温高压下还原反应制得纳米硅粉,并与商业化的碳基体均匀混合制得硅碳材料,达到缓解或抑制材料在充放电过程中的体积膨胀效应。
搜索关键词: 一种 低成本 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
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