[发明专利]主动阵列开关基板及其显示面板有效

专利信息
申请号: 201710744122.5 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107527926B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 卓恩宗 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/24;H01L29/06;B82Y30/00
代理公司: 11228 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人: 亓赢
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种主动阵列开关基板及其显示面板,主动阵列开关基板包括:基板,多个主动开关,形成于基板上,主动开关包括:栅极电极结构;绝缘保护层,形成于所述栅极电极结构上;有源层,形成于所述绝缘保护层上;源极电极层,形成于所述有源层的一侧上,与所述有源层形成欧姆接触;漏极电极层,形成于所述有源层的另一侧上,与所述有源层形成欧姆接触;第一浓度掺杂层,形成于所述有源层上、与所述源极电极层及所述漏极电极层之间;钝化层,覆盖于所述有源层、所述源极电极层与所述漏极电极层上;以及像素电极层,覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。其可提高有源层载流子迁移率,并降低主动阵列开关基板的漏电流。
搜索关键词: 主动 阵列 开关 及其 显示 面板
【主权项】:
1.一种主动阵列开关基板,其特征在于,包括:/n一基板;/n多个主动开关,所述主动开关形成于所述基板上,每一所述主动开关包括:/n一栅极电极结构;/n一绝缘保护层,形成于所述栅极电极结构上;/n一有源层,形成于所述绝缘保护层上,其中所述有源层填充有硅锗氧化物,所述硅锗氧化物的纳米晶体颗粒大小为1~20纳米;/n一源极电极层,形成于所述有源层的一侧上,与所述有源层形成欧姆接触;/n一漏极电极层,形成于所述有源层的另一侧上,与所述有源层形成欧姆接触;/n一第一浓度掺杂层,形成于所述有源层上,与所述源极电极层及所述漏极电极层之间;/n一钝化层,覆盖于所述有源层、所述源极电极层与所述漏极电极层上;以及/n一像素电极层,覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。/n
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