[发明专利]主动阵列开关基板及其显示面板

说明书

本发明提供一种主动阵列开关基板及其显示面板，主动阵列开关基板包括：基板，多个主动开关，形成于基板上，主动开关包括：栅极电极结构；绝缘保护层，形成于所述栅极电极结构上；有源层，形成于所述绝缘保护层上；源极电极层，形成于所述有源层的一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；漏极电极层，形成于所述有源层的另一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；第一浓度掺杂层，形成于所述有源层上、与所述源极电极层及所述漏极电极层之间；钝化层，覆盖于所述有源层、所述源极电极层与所述漏极电极层上；以及像素电极层，覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。其可提高有源层载流子迁移率，并降低主动阵列开关基板的漏电流。

技术领域

本发明涉及一种主动阵列开关基板及其显示面板，特别是涉及一种采用硅锗氧化物纳米晶体(Si_xGe_yO_z)作为有源层的填充材料的主动阵列开关阵列基板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)为薄膜晶体管阵列基板，在液晶显示面板里用来控制显示面板的显像，是不可或缺的主要组件。

薄膜晶体管阵列基板，其配置有源极电极与漏极电极。当左侧的源极电极上的电流要流通到在右侧的漏极电极时，中间必须穿越在有源层上方所形成的有源层通道。当位于有源层下方的栅极电极施加驱动电压时，在有源层会产生一诱导电场，用来控制有源层通道的开通与否，此即为薄膜晶体管阵列基板的工作原理。

上述的薄膜晶体管阵列基板是制作在玻璃基板上，此种工艺需要有物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等半导体制程设备的投入。当使用等离子体辅助化学气相沉积机台来沉积薄膜晶体管阵列基板的钝化层时，在薄膜晶体管阵列基板上方最重要的有源层通道因采用非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)使得电子穿越信道的电子迁移速率(Mobility)不是太小(小于1cm²/V.s)就是过大(可达200cm²/V.s)，进而导致薄膜晶体管阵列基板整体的组件特性无法满足需求，此一问题有待制程技术上的克服。

发明内容

本发明的目的即在于提供一种主动阵列开关基板，包括：一基板；多个主动开关，所述主动开关形成于所述基板上，每一所述主动开关包括：一栅极电极结构；一绝缘保护层，形成于所述栅极电极结构上；一有源层，形成于所述绝缘保护层上，其中，所述有源层填充有硅锗氧化物，所述硅锗氧化物的纳米晶体颗粒大小为1～20纳米；一源极电极层，形成于所述有源层的一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；一漏极电极层，形成于所述有源层的另一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；一第一浓度掺杂层，形成于所述有源层上，与所述源极电极层及所述漏极电极层之间；一钝化层，覆盖于所述有源层、所述源极电极层与所述漏极电极层上；以及一像素电极层，覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。

在本发明的实施例中，另包括一第二浓度掺杂层形成于所述第一浓度掺杂层与有源层之间，其中第一浓度掺杂层的浓度大于第二浓度掺杂层的浓度。

本发明的又一目的即在于提供一种主动阵列开关基板，包括：一基板，多个主动开关，所述主动开关形成于所述基板上，每一所述主动开关包括：一栅极电极结构；一绝缘保护层，形成于所述栅极电极结构上；一有源层，形成于所述绝缘保护层上，其中，所述有源层填充有硅锗氧化物；一源极电极层，形成于所述有源层的一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；一漏极电极层，形成于所述有源层的另一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；多层掺杂层，形成于所述有源层上，与所述源极电极层与所述漏极电极层之间；一钝化层，覆盖于所述绝缘保护层、所述源极电极层与所述漏极电极层上；以及一像素电极层，覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。其中，所述多层掺杂层包括第一浓度掺杂层和第二浓度掺杂层，且所述第一浓度掺杂层和所述第二浓度掺杂层的掺杂浓度为不同；其中，所述有源层形成于所述绝缘保护层、所述钝化层、所述源极电极层与所述漏极电极层之间。

在本发明的实施例中，所述硅锗氧化物的纳米晶体颗粒大小为1～20纳米。