[发明专利]主动阵列开关基板及其显示面板

权利要求书

1.一种主动阵列开关基板，其特征在于，包括：

一基板；

多个主动开关，所述主动开关形成于所述基板上，每一所述主动开关包括：

一栅极电极结构；

一绝缘保护层，形成于所述栅极电极结构上；

一有源层，形成于所述绝缘保护层上，其中所述有源层填充有硅锗氧化物，所述硅锗氧化物的纳米晶体颗粒大小为1～20纳米；

一源极电极层，形成于所述有源层的一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；

一漏极电极层，形成于所述有源层的另一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；

一第一浓度掺杂层，形成于所述有源层上，与所述源极电极层及所述漏极电极层之间；

一钝化层，覆盖于所述有源层、所述源极电极层与所述漏极电极层上；以及

一像素电极层，覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上。

2.如权利要求1所述的主动阵列开关基板，其特征在于，另包括一第二浓度掺杂层形成于所述第一浓度掺杂层与有源层之间，其中第一浓度掺杂层的浓度大于第二浓度掺杂层的浓度。

3.一种主动阵列开关基板，其特征在于，包括：

一基板；

多个主动开关，所述主动开关形成于所述基板上，每一所述主动开关包括：

一栅极电极结构；

一绝缘保护层，形成于所述栅极电极结构上；

一有源层，形成于所述绝缘保护层上，其中，所述有源层填充有硅锗氧化物；

一源极电极层，形成于所述有源层的一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；

一漏极电极层，形成于所述有源层的另一侧上，与所述有源层形成欧姆接触；

多层掺杂层，形成于所述有源层上，与所述源极电极层与所述漏极电极层之间；

一钝化层，覆盖于所述绝缘保护层、所述源极电极层与所述漏极电极层上；以及

一像素电极层，覆盖于所述钝化层与所述漏极电极层上；

其中，所述多层掺杂层包括第一浓度掺杂层和第二浓度掺杂层，且所述第一浓度掺杂层和所述第二浓度掺杂层的掺杂浓度为不同；

其中，所述有源层形成于所述绝缘保护层、所述钝化层、所述源极电极层与所述漏极电极层之间。

4.如权利要求3所述的主动阵列开关基板，其特征在于，所述硅锗氧化物的纳米晶体颗粒大小为1～20纳米。

5.如权利要求3所述的主动阵列开关基板，所述钝化层的材料为氮化硅或氧化硅。

6.如权利要求3所述的主动阵列开关基板，其特征在于，所述多层掺杂层为两层或三层结构的掺杂层。

7.如权利要求6所述的主动阵列开关基板，其特征在于，所述多层掺杂层包括叠置的第一浓度掺杂层，第二浓度掺杂层和第一浓度掺杂层，其中第一浓度掺杂层的浓度大于第二浓度掺杂层的浓度。

8.如权利要求6所述的主动阵列开关基板，其特征在于，所述多层掺杂层包括叠置的第二浓度掺杂层，第一浓度掺杂层和第二浓度掺杂层，其中第一浓度掺杂层的浓度大于第二浓度掺杂层的浓度。

9.如权利要求6所述的主动阵列开关基板，其特征在于，所述多层掺杂层包括叠置的第二浓度掺杂层和第一浓度掺杂层，其中第一浓度掺杂层的浓度大于第二浓度掺杂层的浓度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

一彩膜基板；以及

如权利要求1至9中任一所述的主动阵列开关基板。