[发明专利]一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法，其中，P电极采用贯穿孔技术，即沿垂直于外延层所在平面的方向上，打贯穿外延层的P电极贯穿孔，使得P电极主体部分位于n型外延层上，并制作出P电极以及N电极，进而使得P电极和N电极等高。解决了现有LED中由于P电极和N电极之间存在较大的高度差，导致的在进行芯片封装键合时，LED芯片容易发生侧倾，增加了封装难度的问题。除此，本发明提供的LED还在上述基础上，开设了隔离沟道，解决了现有LED在封装键合过程中，由于焊料挤压变形导致的P/N电极之间容易漏电的问题。并且，本发明中ODR反射镜的结构为ODR反射镜介质膜层与ODR反射镜金属层，反射效率高。

主权项

1.一种AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供AlGaInP基LED外延片，所述AlGaInP基LED外延片包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、n‑GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层以及P型GaP窗口层；在所述外延片的P型GaP窗口层上形成电流扩展层；将所述外延片与透明衬底键合，形成第一半导体结构；去除所述第一半导体结构中的所述GaAs衬底、所述GaAs缓冲层以及所述GaInP腐蚀截止层，直至露出所述n‑GaAs欧姆接触层，形成AlGaInP基LED外延层；在所述n‑GaAs欧姆接触层上蚀刻预设图形，形成具有预设图形的n‑GaAs欧姆接触层；沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，打贯穿所述外延片的P电极贯穿孔；在所述外延层远离所述透明衬底的一侧形成钝化层，并光刻出P电极以及N电极窗口，制作出P电极以及N电极。