[发明专利]一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法

说明书

本发明提供了一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法，其中，P电极采用贯穿孔技术，即沿垂直于外延层所在平面的方向上，打贯穿外延层的P电极贯穿孔，使得P电极主体部分位于n型外延层上，并制作出P电极以及N电极，进而使得P电极和N电极等高。解决了现有LED中由于P电极和N电极之间存在较大的高度差，导致的在进行芯片封装键合时，LED芯片容易发生侧倾，增加了封装难度的问题。除此，本发明提供的LED还在上述基础上，开设了隔离沟道，解决了现有LED在封装键合过程中，由于焊料挤压变形导致的P/N电极之间容易漏电的问题。并且，本发明中ODR反射镜的结构为ODR反射镜介质膜层与ODR反射镜金属层，反射效率高。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，更具体地说，涉及一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法。

背景技术

LED凭借其诸多优点，正在快速发展。如图1所示，图1为一种常用的基于透明衬底的倒装AlGaInP基的LED的结构示意图，该LED的制造流程如下：

首先在GaAs衬底上生长AlGaInP外延片，然后将外延片表面进行粗化处理，并采用BCB将外延片键合到透明衬底101上，之后，移除GaAs衬底(GaAs衬底作为临时衬底)，并蚀刻出P型AlGaInP台面102，其中，P型AlGaInP台面102与透明衬底101之间设置有透明粘结层103，且，P型AlGaInP台面102与N型AlGaInP表面105之间设置有有源层104，然后在P型AlGaInP台面102以及N型AlGaInP表面105镀上金属反射层106以及阻挡层107，最后制作N电极108以及P电极109。

然而，发明人发现，采用目前的制作工艺制造的LED中P电极和N电极之间存在较大的高度差，在进行芯片封装键合时，LED芯片容易发生侧倾，增加了封装难度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法，其中，P电极采用贯穿孔技术，使P电极位于N型层表面，实现了P/N电极的等高设计，降低了LED芯片的封装难度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种AlGaInP基发光二极管的制造方法，包括：

提供AlGaInP基LED外延片，所述AlGaInP基LED外延片包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、n-GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层以及P型GaP窗口层；

在所述外延片的P型GaP窗口层上形成电流扩展层；

将所述外延片与透明衬底键合，形成第一半导体结构；

去除所述第一半导体结构中的所述GaAs衬底、所述GaAs缓冲层以及所述GaInP腐蚀截止层，直至露出所述n-GaAs欧姆接触层，形成AlGaInP基LED外延层；

在所述n-GaAs欧姆接触层上蚀刻预设图形，形成具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层；

沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，打贯穿所述外延片的P电极贯穿孔；

在所述外延层远离所述透明衬底的一侧形成钝化层，并光刻出P电极以及N电极窗口，制作出P电极以及N电极。

优选的，在所述外延层的表面形成钝化层之前，还包括：

沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，在所述AlGaInP基LED外延层中形成贯穿所述外延层的隔离沟道。

优选的，在所述形成AlGaInP基LED外延层之后，还包括：

在所述具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层表面形成ODR反射镜介质膜层，并在所述ODR反射镜介质膜层上打N电极贯穿孔；