[发明专利]一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供AlGaInP基LED外延片，所述AlGaInP基LED外延片包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、n-GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层以及P型GaP窗口层；

在所述外延片的P型GaP窗口层上形成电流扩展层；

将所述外延片与透明衬底键合，形成第一半导体结构；

去除所述第一半导体结构中的所述GaAs衬底、所述GaAs缓冲层以及所述GaInP腐蚀截止层，直至露出所述n-GaAs欧姆接触层，形成AlGaInP基LED外延层；

在所述n-GaAs欧姆接触层上蚀刻预设图形，形成具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层；

沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，打贯穿所述外延片的P电极贯穿孔；

在所述外延层远离所述透明衬底的一侧形成钝化层，并光刻出P电极以及N电极窗口，制作出P电极以及N电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述外延层远离所述透明衬底的一侧形成钝化层之前，还包括：

沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，在所述AlGaInP基LED外延层中形成贯穿所述外延层的隔离沟道。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述形成AlGaInP基LED外延层之后，还包括：

在所述具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层表面形成ODR反射镜介质膜层，并在所述ODR反射镜介质膜层上打N电极贯穿孔；

在所述ODR反射镜介质膜层上形成ODR反射镜金属层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述提供所述AlGaInP基LED外延片，包括：

提供GaAs衬底；

在所述GaAs衬底上依次形成GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、n-GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层以及P型GaP窗口层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述外延片的P型GaP窗口层上形成电流扩展层，包括：

在所述P型GaP窗口层上沉积透明导电氧化物ITO、IZO、AZO或IGZO，所述透明导电氧化物形成所述电流扩展层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述将所述外延片与透明衬底键合，包括：

采用BCB键合工艺、SOG键合工艺、硅橡胶粘结剂键合工艺或氧化物键合工艺将所述外延片与所述透明衬底进行键合。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层表面形成ODR反射镜介质膜层，并在所述ODR反射镜介质膜层上打N电极贯穿孔，包括：

在所述具有预设图形的n-GaAs欧姆接触层表面沉积MgF2或SiO2作为所述ODR反射镜介质膜层，并采用剥离工艺在所述ODR反射镜介质膜层上打N电极贯穿孔。

8.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述ODR反射镜介质膜层上形成ODR反射镜金属层，包括：

在所述ODR反射镜介质膜层表面蒸镀预设金属作为所述ODR反射镜金属层，所述预设金属至少包括AuGeNi、AuGe、Au、Pt、Ti、Ni、Al和/或Ag。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述外延层远离所述透明衬底的一侧形成钝化层，包括：

在所述外延层的表面沉积氮化硅SiN或氧化铝Al₂O₃或二氧化硅SiO₂，形成钝化层。

10.一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，基于权利要求1-9中任意一项所述的制造方法制作，包括：

透明衬底；

AlGaInP基LED外延层，所述外延层与所述透明衬底键合，所述外延层包括n-GaAs欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层以及P型GaP窗口层，沿垂直于所述外延层所在平面的方向上，所述外延层开设有P电极贯穿孔以及隔离沟道；

ODR反射镜，设置在所述外延层远离所述透明衬底的一侧，包括ODR反射镜介质膜层以及ODR反射镜金属层；

P电极以及N电极，所述P电极通过所述P电极贯穿孔与所述P型GaP窗口层电连接，所述N电极与所述n-GaAs欧姆接触层电连接。