[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710736808.X 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107706315A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 张芹;顾小兵;蒋杰;纪丽珊;张虚谷;王凛烽;李丹阳;张青松;徐小均 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 南昌洪达专利事务所36111 代理人: 刘凌峰
地址: 330063 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种量子点发光二极管及其制备方法,本发明将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜,得到初级量子点发光二极管;在所述得到的量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积铝电极,得到量子点发光二极管。本发明采用掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层实现量子点发光二极管发光效率的提高;并且本发明所使用的掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层相比传统的空穴注入层材料(聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶剂),具有价格便宜,透光率更好等特点。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:(1)将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜,得到初级量子点发光二极管;所述包括掺杂少量钒的三氧化钼溶液的三氧化钼和钒的质量比为1:(0.01~0.1),溶质与有机溶剂质量比为(1~5):100;所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~25)mg:(1~2)Ml;所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底的底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
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