[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201710736808.X | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107706315A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 张芹;顾小兵;蒋杰;纪丽珊;张虚谷;王凛烽;李丹阳;张青松;徐小均 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(quantum dots,QDs),又名半导体纳米晶,是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料。它的发射光谱可以通过改变QDs的尺寸大小来控制,通过改变QDs的尺寸和它的化学组成可以使其发射光覆盖整个可见光区。同时,QDs具有很好的稳定性,可以对标记的物体进行长时间观察,能应用于生物学;具有较大的斯托克位移,有利于荧光光谱信号的检测;生物相容性好,能应用于生物活体标记和检测。QDs材料相对于无机半导体材料昂贵的制作工艺,它可以溶液加工,通过滴涂,旋涂或印刷等简单方式来成膜,大大简化了半导体器件的制备工艺,降低生产成本,加之QDs具有发光效率高,稳定性好的性质,在显示领域有巨大潜力。
量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diode,QLED)是一种以QDs作为发光层的电致发光器件,因为其具有制作简单,体积小,成色好,节能,光的纯度高等特点,被人们广泛关注。一般QLED结构由阳极,空穴传输层,QDs层,电子传输层,阴极组成,同时,为了提升器件性能,也常常加入一些功能层,如电子注入层,空穴注入层等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法,方法简单并且可实现大面积生产。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管;
所述掺杂少量钒的三氧化钼溶液的三氧化钼和钒的质量比为1:(0.01~0.1),溶质与有机溶剂质量比为(1~5):100;
所述三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;
所述量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~25)mg:(1~2)mL;
所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;
(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底的底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
优选的,所述掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
优选的,所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。
优选的,所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。
优选的,所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
优选的,所述步骤(1)中包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为1:1:1:1。
优选的,所述步骤(1)中各溶液独立地还包括调粘聚合物,所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。
优选的,所述步骤(1)中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。
本发明还提供了上述技术方案所述制备方法得到的量子点发光二极管,包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。
优选的,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。
附图说明
图1为本发明制作的量子点发光二极管结构示意图。
具体实施方式
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