[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201710736808.X | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107706315A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 张芹;顾小兵;蒋杰;纪丽珊;张虚谷;王凛烽;李丹阳;张青松;徐小均 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜,得到初级量子点发光二极管;
所述包括掺杂少量钒的三氧化钼溶液的三氧化钼和钒的质量比为1:(0.01~0.1),溶质与有机溶剂质量比为(1~5):100;
所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;
所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~25)mg:(1~2)Ml;
所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;
(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底的底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
2.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为1:1:1:1。
7.根据权利要求1~6任一项所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中各溶液独立地还包括调粘聚合物,所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。
9.权利要求8任一项所述制备方法得到的量子点发光二极管,包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经匀胶机旋涂得到;所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。
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