[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201710733225.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107785291B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 南田纯也;小田奖;渡边尚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种谋求更加省空间化的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具备多个处理单元和气体供给部。多个处理单元层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对基板进行液处理。气体供给部针对每个处理单元设置,并向处理单元的内部供给气体。另外,气体供给部包括引进部和供气部。引进部引进外部空气而使该外部空气清洁化。供气部将被引进部清洁化后的清洁空气向处理单元的内部供气。另外,引进部配置于腔室的侧方,并且,在层叠地配置的处理单元之间配置于腔室的同一侧面。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置具备:多个处理单元,其层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对所述基板进行液处理;以及气体供给部,其针对各所述处理单元设置,向该处理单元的内部供给气体,所述气体供给部包括:引进部,其将外部空气引进而使该外部空气清洁化;以及供气部,其将被所述引进部清洁化后的清洁空气向所述处理单元的内部供气,所述引进部配置于所述腔室的侧方,并且在层叠地配置的所述处理单元之间配置于所述腔室的同一侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造