[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201710733225.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107785291B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 南田纯也;小田奖;渡边尚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具备:
多个处理单元,其层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对所述基板进行液处理;以及
气体供给部,其针对各所述处理单元设置,向该处理单元的内部供给气体,
所述气体供给部包括:
引进部,其将外部空气引进而使该外部空气清洁化;以及
供气部,其将被所述引进部清洁化后的清洁空气向所述处理单元的内部供气,
所述引进部配置于所述腔室的侧方,并且在层叠地配置的所述处理单元之间配置于所述腔室的同一侧面,
所述供气部设置成配置于所述处理单元的上方并且在侧方与所述引进部连接而与该引进部连通,利用从所述引进部送入的清洁空气在所述处理单元内形成下降流。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具备作为对来自所述处理单元的排气进行引导的配管的第1排气管,
所述第1排气管相对于所述腔室配置于与所述引进部相同的侧面,并在所述腔室的侧面沿上下延伸。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具备输送部,该输送部设置于所述处理单元的侧方且是与配置有所述引进部的侧面不同的位置,并将所述基板向所述处理单元输送,
从靠近所述输送部的一侧起依次配置所述第1排气管、所述引进部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述引进部的外部空气的引进口朝向与所述输送部那一侧相反的一侧开口。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具备作为对处理液的供给系统周围的气氛气体进行排气的配管的第2排气管,
所述第2排气管相对于所述腔室配置为穿过与配置有所述引进部的侧面相反的一侧的侧方、或穿过所述引进部的侧方。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2排气管收纳有用于向所述处理单元供给处理液的配管。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理单元能够供给多个种类的处理液,
该基板处理装置具有与所述多个种类的处理液的至少1种相对应的多个单独排气管,还具备将在所述第1排气管中流动的排气的流出目的地切换成所述单独排气管中的任一者排气切换单元,
所述排气切换单元配置于比所层叠的所述处理单元靠上方的位置,
所述第2排气管的排气口与所述排气切换单元连接。
8.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具备:
多个处理单元,其层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对所述基板进行液处理;以及
多个气体供给部,其针对各所述处理单元设置,向该处理单元的内部供给气体,
各个所述气体供给部包括:
引进部,其将外部空气引进而使该外部空气清洁化;以及
供气部,其将被所述引进部清洁化后的清洁空气向所述处理单元的内部供气,
各个所述引进部配置于对应的所述处理单元的所述腔室的侧方,并且多个所述引进部在层叠地配置的多个所述处理单元之间配置于多个所述腔室的同一侧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造