[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201710733225.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107785291B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 南田纯也;小田奖;渡边尚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供一种谋求更加省空间化的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具备多个处理单元和气体供给部。多个处理单元层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对基板进行液处理。气体供给部针对每个处理单元设置,并向处理单元的内部供给气体。另外,气体供给部包括引进部和供气部。引进部引进外部空气而使该外部空气清洁化。供气部将被引进部清洁化后的清洁空气向处理单元的内部供气。另外,引进部配置于腔室的侧方,并且,在层叠地配置的处理单元之间配置于腔室的同一侧面。
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
以往,公知有一种基板处理装置,该基板处理装置具备:单张式的多个处理单元,其在保持半导体晶圆等基板、同时使其旋转的状态下,向基板的表面、表背面供给处理液来对基板进行液处理;以及输送装置,其进行基板的相对于这些处理单元的输入输出。
在该基板处理装置中,存在为了抑制装置的占用空间增加的情况、同时获得更高的生产率,采用了将处理单元层叠成多层的布局的基板处理装置,(参照例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2012-142404号公报
发明内容
然而,对于上述的现有技术,在谋求更加省空间化这一点存在进一步的改善的余地。
具体而言,如上述那样地层叠处理单元的做法在谋求省空间化、同时使生产率提高方面是有效的,但如果增加层叠数,则装置的高度就增加,因此,存在层叠处理单元、同时也想尽可能抑制装置的高度这样的要求。
这一点,在专利文献1所公开的装置中,在层叠起来的处理单元的各层的上方配设有向处理单元进行供气的通用的供气管道和通用的风扇单元,因此,难以满足上述的要求。
实施方式的一形态的目的在于提供一种能够谋求更加省空间化的基板处理装置。
实施方式的一技术方案的基板处理装置具备多个处理单元和气体供给部。多个处理单元层叠地配置,并在腔室内保持基板而利用处理液对基板进行液处理。气体供给部针对每个处理单元设置,并向处理单元的内部供给气体。另外,气体供给部包括引进部和供气部。引进部引进外部空气而使该外部空气清洁化。供气部将被引进部清洁化后的清洁空气向处理单元的内部供气。另外,引进部配置于腔室的侧方,并且,在层叠地配置的处理单元之间配置于腔室的同一侧面。
根据实施方式的一技术方案,能够谋求更加省空间化。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是表示基板处理系统所具备的处理液供给系统的概略结构的图。
图4是表示处理单元的排气路径的图。
图5A是表示框架构造体的概略结构的图(其1)。
图5B是表示框架构造体的概略结构的图(其2)。
图5C是表示框架构造体的概略结构的图(其3)。
图5D是表示框架构造体的概略结构的图(其4)。
图6A是处理站的示意主视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造