[发明专利]用于半导体工艺模块的边环或工艺配件在审
| 申请号： | 201710729052.6 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107768225A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·L·丹布拉;舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;G01D21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的度量。利用传感器监测环组件的度量。确定度量是否超过阈值，并且响应于度量超过阈值而生成信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 模块 配件 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的环，所述环包括：主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁；以及磨损指示材料，所述磨损指示材料设置在所述主体中，所述磨损指示材料在所述主体的所述顶表面下方间隔开来，所述磨损指示材料不同于构成所述主体的材料。
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