[发明专利]用于半导体工艺模块的边环或工艺配件

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的环，所述环包括：

主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁；以及

磨损指示材料，所述磨损指示材料设置在所述主体中，所述磨损指示材料在所述主体的所述顶表面下方间隔开来，所述磨损指示材料不同于构成所述主体的材料。

2.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：

圆柱销。

3.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：

环形带。

4.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：

一反射率，所述反射率不同于所述边环的所述主体的反射率。

5.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：

一材料，当将所述磨损指示材料和所述主体暴露于等离子体时所述材料发射出的离子不同于从所述主体发射的离子。

6.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料是SiO并且所述主体的所述材料是石英。

7.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；

环，所述环设置在所述基板支撑件上，所述环包括：

主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁；和

磨损指示材料，所述磨损指示材料设置在所述主体中，所述磨损指示材料在所述主体的所述顶表面下方间隔开来，所述磨损指示材料不同于构成所述主体的材料；以及

一或多个传感器，所述一或多个传感器被定位成与所述环接合，所述一或多个传感器被构造成检测所述磨损指示材料。

8.如权利要求7所述的等离子体处理腔室，其中所述磨损指示材料进一步包括：

SiO材料，当将所述磨损指示材料和所述主体暴露于等离子体时，所述SiO材料发射的离子不同于从由石英材料形成的所述主体发射的离子。

9.一种检测环组件中侵蚀的方法，所述方法包括：

在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在所述等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的度量；

利用传感器监测所述环组件的所述度量；

确定所述度量超过阈值；以及

响应于所述度量超过所述阈值而生成信号。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述环组件包括边环和外环，其中所述边环具有主体并且含有硅，所述主体具有顶表面。

11.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括：

利用设置在所述等离子体处理腔室中、在所述边环上方的所述传感器检测对嵌入在所述顶表面下方的所述主体中的信号材料的侵蚀。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述信号材料是可通过所述边环的所述主体的底部达到的插件。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述信号材料是设置在沿所述主体的所述顶表面设置的含硅层下方的层。

14.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括：

利用设置在所述边环下方的电磁传感器测量在存在所述等离子体时跨所述边环的电阻；以及

基于所述测量到的电阻的值来修改工艺参数或维护进度。

15.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括：

利用所述传感器测量在存在所述等离子体时跨所述边环的距离，其中所述传感器是嵌入所述基板支撑件中的电磁传感器。

16.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括：

利用所述传感器测量距所述边环的所述顶表面的距离，其中所述传感器是设置在所述等离子体处理腔室中并暴露于所述等离子体的传感器；以及

确定所述距离超过最大阈值。

17.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括：

利用所述传感器测量距所述边环的所述顶表面的距离，其中所述传感器设置在所述基板支撑件中；以及

确定所述距离超过最大阈值。

18.如权利要求17所述的方法，所述方法进一步包括：

利用声学传感器从所述边环下方获得声学信号。