[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710728257.2 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427676B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的多个半导体鳍片，该多个半导体鳍片包括：间隔开的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；在每个半导体鳍片周围的沟槽和填充沟槽的沟槽绝缘物层，该沟槽绝缘物层的上表面与该半导体鳍片的上表面基本齐平；对第一半导体鳍片执行第一抗穿通掺杂以形成第一抗穿通区域；然后去除该第二半导体鳍片的一部分以形成凹陷；以及在该凹陷中且在第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层。本发明可以降低由于扩散可能造成的第一抗穿通掺杂的掺杂物对第二半导体鳍片掺杂的可能性，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的多个半导体鳍片，所述多个半导体鳍片包括：间隔开的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；在每个所述半导体鳍片周围的沟槽以及填充所述沟槽的沟槽绝缘物层，其中，所述沟槽绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平；对所述第一半导体鳍片执行第一抗穿通掺杂以在所述第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；在执行所述第一抗穿通掺杂之后，去除所述第二半导体鳍片的一部分以形成凹陷；以及在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
