[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的多个半导体鳍片，所述多个半导体鳍片包括：间隔开的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，所述第一半导体鳍片用于形成第一器件，所述第二半导体鳍片用于形成与所述第一器件具有不同导电类型的第二器件；在每个所述半导体鳍片周围的沟槽以及填充所述沟槽的沟槽绝缘物层，其中，所述沟槽绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平；

对所述第一半导体鳍片执行第一抗穿通掺杂以在所述第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；

在执行所述第一抗穿通掺杂之后，去除所述第二半导体鳍片的一部分以形成凹陷，其中，所述凹陷的深度大于所述第一抗穿通掺杂的掺杂深度；以及

在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述凹陷的深度范围为至

所述第一抗穿通掺杂的掺杂深度的范围为至

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述外延层包括：在所述第二半导体鳍片的剩余部分上的半导体层和在所述半导体层上的沟道层；

其中，所述第二抗穿通区域位于所述半导体层中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层的步骤包括：

在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上外延形成半导体层；

对所述半导体层执行第二抗穿通掺杂以在所述半导体层中形成第二抗穿通区域；以及

在所述半导体层上外延形成沟道层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上形成具有第二抗穿通区域的外延层的步骤包括：

在所述凹陷中且在所述第二半导体鳍片的剩余部分上外延形成半导体层，并且在该外延的过程中，对所述半导体层执行原位掺杂以形成第二抗穿通区域；以及

在所述半导体层上外延形成沟道层。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述半导体层的材料与所述第二半导体鳍片的材料相同。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述半导体层的材料包括：硅；

所述半导体层的厚度范围为至

所述沟道层的材料包括：硅锗、碳化硅或III-V族化合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

通过第一离子注入执行所述第一抗穿通掺杂；

其中，在所述第一半导体鳍片用于形成NMOS器件的情况下，所述第一离子注入的掺杂物包括：硼或二氟化硼；

或者，在所述第一半导体鳍片用于形成PMOS器件的情况下，所述第一离子注入的掺杂物包括：磷或砷。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

通过第二离子注入执行所述第二抗穿通掺杂；

其中，在所述第二半导体鳍片用于形成PMOS器件的情况下，所述第二离子注入的掺杂物包括：磷或砷；

或者，在所述第二半导体鳍片用于形成NMOS器件的情况下，所述第二离子注入的掺杂物包括：硼或二氟化硼。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

在所述第二半导体鳍片用于形成PMOS器件的情况下，所述原位掺杂的掺杂物包括：磷或砷；

或者，在所述第二半导体鳍片用于形成NMOS器件的情况下，所述原位掺杂的掺杂物包括：硼或二氟化硼。