[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的可靠性。以覆盖源电极(SE)以及栅电极GE的方式形成绝缘膜(PA)，在该绝缘膜(PA)形成有使源电极(SE)的一部分露出的开口部(OPS)和使栅电极(GE)的一部分露出的开口部(OPG)。在从开口部(OPS)露出的源电极(SE)上形成有镀覆层(PLS)，在从开口部(OPG)露出的栅电极(GE)上形成有镀覆层(PLG)。利用从开口部(OPS)露出的部分的源电极(SE)和镀覆层(PLS)，形成源极焊盘(PDS)，利用从开口部(OPG)露出的部分的栅电极(GE)和镀覆层(PLG)，形成栅极焊盘(PDG)。栅极焊盘用的开口部(OPG)的面积比源极焊盘用的开口部(OPS)的面积小，镀覆层(PLG)的厚度比镀覆层(PLS)的厚度厚。

主权项

1.一种半导体装置，具有：半导体基板；层间绝缘膜，形成于所述半导体基板的主面上；第一焊盘用的第一导电膜图案及第二焊盘用的第二导电膜图案，形成于所述层间绝缘膜上；绝缘膜，在所述层间绝缘膜上，以覆盖所述第一导电膜图案及第二导电膜图案的方式形成；所述第一焊盘用的第一开口部，形成于所述绝缘膜，使所述第一导电膜图案的一部分露出；所述第二焊盘用的第二开口部，形成于所述绝缘膜，使所述第二导电膜图案的一部分露出；第一镀覆层，形成于从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案上；以及第二镀覆层，形成于从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案上，利用从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案和所述第一镀覆层，形成所述第一焊盘，利用从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案和所述第二镀覆层，形成所述第二焊盘，所述第二开口部的面积比所述第一开口部的面积小，所述第二镀覆层的厚度比所述第一镀覆层的厚度厚。