[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的可靠性。以覆盖源电极(SE)以及栅电极GE的方式形成绝缘膜(PA)，在该绝缘膜(PA)形成有使源电极(SE)的一部分露出的开口部(OPS)和使栅电极(GE)的一部分露出的开口部(OPG)。在从开口部(OPS)露出的源电极(SE)上形成有镀覆层(PLS)，在从开口部(OPG)露出的栅电极(GE)上形成有镀覆层(PLG)。利用从开口部(OPS)露出的部分的源电极(SE)和镀覆层(PLS)，形成源极焊盘(PDS)，利用从开口部(OPG)露出的部分的栅电极(GE)和镀覆层(PLG)，形成栅极焊盘(PDG)。栅极焊盘用的开口部(OPG)的面积比源极焊盘用的开口部(OPS)的面积小，镀覆层(PLG)的厚度比镀覆层(PLS)的厚度厚。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，例如，可使用于具有结合焊盘的半导体装置及其制造方法的技术。

背景技术

在形成有功率半导体元件的半导体芯片中，能够利用在半导体芯片内形成的功率半导体元件，控制在主面侧设置的焊盘与在背面侧设置的背面电极之间流过的电流。因此，这样的半导体芯片可利用于流过大电流的开关元件等。在对这样的半导体芯片进行封装化时，考虑电阻降低，对半导体芯片的焊盘隔着焊料连接金属板。

在日本特开2005-33130号公报(专利文献1)中，记载有与在铝电极的表面形成有包括镀镍层的外部连接用的金属电极的半导体装置有关的技术。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2005-33130号公报

发明内容

在具有结合焊盘的半导体装置中，期望提高可靠性。

其它课题和新的特征根据本说明书的记述以及附图将更加明确。

根据一个实施方式，半导体装置具有：第一焊盘用的第一导电膜图案及第二焊盘用的第二导电膜图案；以覆盖所述第一导电膜图案及第二导电膜图案的方式形成的绝缘膜；形成于所述绝缘膜而使所述第一导电膜图案的一部分露出的第一开口部；以及形成于所述绝缘膜而使所述第二导电膜图案的一部分露出的第二开口部。半导体装置还具有：在从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案上形成的第一镀覆层；以及在从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案上形成的第二镀覆层。利用从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案和所述第一镀覆层，形成所述第一焊盘，利用从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案和所述第二镀覆层，形成所述第二焊盘。所述第二开口部的面积比所述第一开口部的面积小，所述第二镀覆层的厚度比所述第一镀覆层的厚度厚。

另外，根据一个实施方式，半导体装置的制造方法具有：形成第一焊盘用的第一导电膜图案及第二焊盘用的第二导电膜图案的工序；以覆盖所述第一导电膜图案及第二导电膜图案的方式形成绝缘膜的工序；以及在所述绝缘膜中，形成使所述第一导电膜图案的一部分露出的第一开口部和使所述第二导电膜图案的一部分露出的第二开口部的工序。半导体装置的制造方法还具有在从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案上形成第一镀覆层、在从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案上形成第二镀覆层的工序。利用从所述第一开口部露出的部分的所述第一导电膜图案和所述第一镀覆层，形成所述第一焊盘，利用从所述第二开口部露出的部分的所述第二导电膜图案和所述第二镀覆层，形成所述第二焊盘。所述第二开口部的面积比所述第一开口部的面积小，所述第二镀覆层的厚度比所述第一镀覆层的厚度厚。

根据一个实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是一个实施方式的半导体装置的整体俯视图。

图2是一个实施方式的半导体装置的整体俯视图。

图3是一个实施方式的半导体装置的顶视图。

图4是一个实施方式的半导体装置的底视图。