[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；形成第一区域掩膜层；形成第二应力层；形成接触孔刻蚀停止层；形成第一接触孔和第二接触孔；沿所述第一接触孔进行减薄处理；减薄处理之后，去除所述第一接触孔底部的第一区域掩膜层和所述第二接触孔底部的接触孔刻蚀停止层；形成位于所述第一接触孔内的第一插塞和位于所述第二接触孔内的第二插塞。为解决所述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，通过沿所述第一接触孔进行减薄处理，能够有效减少所述第二应力层受损现象的出现，有利于降低工艺难度，有利于提高良率和改善器件性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成第一类型晶体管的第一区域和用于形成第二类型晶体管的第二区域，所述第一区域的衬底上具有第一栅极结构和位于所述第一栅极结构两侧衬底上的第一应力层；所述第二区域的衬底上具有第二栅极结构；形成第一区域掩膜层，所述第一区域掩膜层位于所述第一应力层上；以所述第一区域掩膜层为掩膜，在所述第二栅极结构两侧的衬底上形成第二应力层；形成接触孔刻蚀停止层，位于所述第一区域掩膜层和所述第二应力层上；形成位于所述第一应力层上的第一接触孔和位于所述第二应力层上的第二接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第一应力层上的接触孔刻蚀停止层，所述第二接触孔露出所述第二应力层上的接触孔刻蚀停止层；沿所述第一接触孔进行减薄处理，至少去除所述第一应力层上部分厚度的接触孔刻蚀停止层；减薄处理之后，去除所述第一接触孔底部的第一区域掩膜层和所述第二接触孔底部的接触孔刻蚀停止层，露出所述第一应力层和所述第二应力层；形成位于所述第一接触孔内的第一插塞和位于所述第二接触孔内的第二插塞。