[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括用于形成第一类型晶体管的第一区域和用于形成第二类型晶体管的第二区域，所述第一区域的衬底上具有第一栅极结构和位于所述第一栅极结构两侧衬底上的第一应力层；所述第二区域的衬底上具有第二栅极结构；

形成第一区域掩膜层，所述第一区域掩膜层位于所述第一应力层上；

以所述第一区域掩膜层为掩膜，在所述第二栅极结构两侧的衬底上形成第二应力层；

形成接触孔刻蚀停止层，位于所述第一区域掩膜层和所述第二应力层上；

形成位于所述第一应力层上的第一接触孔和位于所述第二应力层上的第二接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第一应力层上的接触孔刻蚀停止层，所述第二接触孔露出所述第二应力层上的接触孔刻蚀停止层；

沿所述第一接触孔进行减薄处理，至少去除所述第一应力层上部分厚度的接触孔刻蚀停止层；

所述减薄处理之后，所述第一接触孔底部第一应力层上剩余接触孔刻蚀停止层和所述第一区域掩膜层的厚度之和与所述第二接触孔底部第二应力层上接触孔刻蚀停止层的厚度相当；

减薄处理之后，去除所述第一接触孔底部的第一区域掩膜层和所述第二接触孔底部的接触孔刻蚀停止层，露出所述第一应力层和所述第二应力层；

形成位于所述第一接触孔内的第一插塞和位于所述第二接触孔内的第二插塞。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，沿所述第一接触孔进行减薄处理的步骤包括：

在所述第二区域的衬底上形成保护层；

以所述保护层为掩膜，进行所述减薄处理；

减薄处理之后，去除所述保护层，露出所述第二接触孔底部的接触孔刻蚀停止层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保护层填充满所述第二接触孔。

4.如权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，所述保护层为光刻胶层、有机介电层和底部抗反射层中的一种或多种。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂的方式形成所述保护层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀的方式进行所述减薄处理。

7.如权利要求1或6所述的形成方法，其特征在于，所述第一区域掩膜层和所述接触孔刻蚀停止层中的一个或两个的材料为氮化硅。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的工艺参数包括：刻蚀气体包括：CH₂F₂、O₂以及CF₄；刻蚀气体流量分别为：CH₂F₂：8sccm到50sccm范围内；O₂：2sccm到30sccm范围内；CF₄：30sccm到200sccm范围内；射频功率：100W到1000W范围内，电压：30V到500V范围内；刻蚀时间：4s到500s范围内；气压：10mtorr到2000mtorr。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的刻蚀量在到范围内。

10.如权利要求1或9所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理去除所述第一应力层上所述第一接触孔露出的接触孔刻蚀停止层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理还去除部分厚度的所述第一区域掩膜层。

12.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀的方式去除所述保护层。