[发明专利]柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板有效
| 申请号： | 201710726119.0 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107393859B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 谢昌翰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开属于显示面板领域，具体是关于一种柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板。该制作方法包括：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料层；在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；在所述屏障无机层表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。本公开可以确保第二柔性材料层良好的附著成膜于该屏障无机层上，无需额外沉积介面无机层来改善介面附著不良等问题，工艺简单成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种柔性基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面沉积形成第一柔性材料层；在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击的处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；在所述屏障无机层的表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710726119.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
