[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710702108.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107452790A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;潘艳;金锐;温家良;赵岩;张璧君;解海宁;刘双宇 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 102211 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板为第一导电类型；第一掺杂层，设置在所述基板内，其为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在所述第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在所述基板的第一表面上，且所述隔离层与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在所述基板的第一表面上，且所述第一电极与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在所述基板的第二表面上。
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