[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710702108.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107452790A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;潘艳;金锐;温家良;赵岩;张璧君;解海宁;刘双宇 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 102211 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板为第一导电类型；
第一掺杂层，设置在所述基板内，其为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；
第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层内，其为第一导电类型；
第三掺杂层，设置在所述第二掺杂层内，其为第二导电类型；
控制电极，通过隔离层设置在所述基板的第一表面上，且所述隔离层与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；
第一电极，设置在所述基板的第一表面上，且所述第一电极与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；以及
第二电极，设置在所述基板的第二表面上。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：
第四掺杂层，设置在所述基板与所述第二电极之间，所述第四掺杂层为第二导电类型。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，
所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂层为两个或两个以上，所述第二掺杂层与所述第三掺杂层数量相同。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述基板的材质包括以下至少一者：Si、SiC、GaN。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三掺杂层的掺杂深度不大于20μm。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三掺杂层的掺杂浓度为1014/cm3至1020/cm3。
8.一种制造功率半导体器件的方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型的基板的第一表面内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；
在所述第一掺杂层内形成第一导电类型的第二掺杂层；
在所述第二掺杂层内形成第二导电类型的第三掺杂层；
在所述基板的第一表面上形成隔离层，所述隔离层与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；
在所述隔离层上形成控制电极；
在所述基板的第一表面上形成第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的表面接触；
在所述基板的第二表面上形成第二电极。
9.根据权利要求1所述的制造功率半导体器件的方法，其特征在于，所述在所述基板的第二表面设置第二电极的步骤之前，还包括：
在所述基板的第二表面内形成第四掺杂层，所述第四掺杂层为第二导电类型。
10.根据权利要求1所述的制造功率半导体器件的方法，其特征在于，在所述第二掺杂层内形成第二导电类型的第三掺杂层时，所述第三掺杂层的掺杂注入窗口的宽度不大于100μm；和/或，
所述第三掺杂层的掺杂深度不大于20μm；和/或，
所述第三掺杂层的掺杂浓度为1014/cm3至1020/cm3。
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