[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种能使读出时间高速化的非易失性半导体存储装置。一实施方式的非易失性半导体存储装置包含电流源、箝位电路、存储单元、读出放大器。电流源的一端与电源连接，从另一端流出参考电流。箝位电路包含控制晶体管及放大电路，对位线负载电容充电，将控制晶体管的另一端箝位在单元参考电压。存储单元包含电阻变化型元件，一端经由位线与箝位电路连接，另一端与字线连接。读出放大器检测电阻变化型元件中存储的数据。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于具备：电流源，一端与电源连接，从另一端流出参考电流；箝位电路，包含控制晶体管及放大电路，所述控制晶体管的一端与所述电流源的另一端连接，所述放大电路在输入侧的正极端口输入单元参考电压，输入侧的负极端口与所述控制晶体管的另一端连接，输出侧与所述控制晶体管的控制端子连接，从所述控制晶体管的另一端向所述输入侧的负极端口输入反馈信号，向所述控制晶体管的控制端子输出差动放大后的信号，所述箝位电路对位线负载电容充电而使所述控制晶体管的另一端箝位在所述单元参考电压；存储单元，包含电阻变化型元件，一端经由位线与所述箝位电路连接，另一端与字线连接；及读出放大器，检测所述电阻变化型元件中存储的数据。