[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于具备：

电流源，一端与电源连接，从另一端流出参考电流；

箝位电路，包含控制晶体管及放大电路，所述控制晶体管的一端与所述电流源的另一端连接，所述放大电路在输入侧的正极端口输入单元参考电压，输入侧的负极端口与所述控制晶体管的另一端连接，输出侧与所述控制晶体管的控制端子连接，从所述控制晶体管的另一端向所述输入侧的负极端口输入反馈信号，向所述控制晶体管的控制端子输出差动放大后的信号，所述箝位电路对位线负载电容充电而使所述控制晶体管的另一端箝位在所述单元参考电压；

存储单元，包含电阻变化型元件，一端经由位线与所述箝位电路连接，另一端与字线连接；

读出放大器，检测所述电阻变化型元件中存储的数据；

第1开关，当第1控制信号为使能状态时，将所述控制晶体管的一端设定为第1参考电压；及

第2开关，设置在所述控制晶体管与所述存储单元之间，当第2控制信号为使能状态时，将所述控制晶体管与所述存储单元之间连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

所述读出放大器包含电容器、反相器、第3开关，

所述电容器的一端与所述电流源的另一端连接，

所述反相器的输入侧与所述电容器的另一端连接，

所述第3开关的一端与所述电容器的另一端连接，另一端与所述反相器的另一端连接，当接通时，将所述电容器的另一端与所述反相器的另一端连接，使所述反相器的输出信号反馈输入到所述反相器的输入侧。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

所述电阻变化型元件将电阻值分布不同的多个数据作为多值数据进行存储，且所述非易失性半导体存储装置还具备：

判定电路，输入从所述读出放大器输出的输出信号，判定所述读出放大器读出的所述电阻变化型元件的数据存在于哪个区域，并基于判定结果，变更所述单元参考电压，缩小所述电阻变化型元件的数据的区域；及

DA转换器，基于所述判定电路中的变更结果，将变更单元参考电压作为反馈信号，向所述放大电路的输入侧的负极端口输出变更单元参考电压。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：所述非易失性半导体存储装置为ReRAM、PCRAM或者MRAM。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：所述电流源包含电流镜电路。

6.根据权利要求5所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：所述电流镜电路具备两个Pch MOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：所述两个Pch MOS晶体管的栅极宽与栅极长之比相同。