[发明专利]提高内量子效率的LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种提高内量子效率的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长AlGaN：Zn薄垒层、交替生长In_xGa_(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，通过发光层靠近N型层的一侧生长AlGaN：Zn薄垒层，形成不对称阱垒结构，抑制电子漏电流的产生，提升电子和空穴在量子阱内的注入效率，从而提高LED的内量子效率和光功率，使LED的发光效率得到提升。

主权项

1.一种提高内量子效率的LED外延生长方法，依次包括：采用金属有机化学气相沉积法MOCVD，在1000℃‑1100℃的H2气氛下，通入100L/min‑130L/min的H2，保持反应腔压力100mbar‑300mbar，处理蓝宝石衬底5min‑10min；生长低温缓冲层GaN、并对所述低温缓冲层GaN进行腐蚀，形成不规则岛型；生长不掺杂GaN层；生长掺杂Si的N型GaN层；保持反应腔压力800mbar‑950mbar，保持温度750℃‑900℃，通入流量为50000sccm‑55000sccm的NH3、50sccm‑70sccm的TMGa、90L/min‑110L/min的H2、1200sccm‑1400sccm的TMAl及1000sccm‑1500sccmDMZn，生长15nm‑35nm的掺杂Zn的AlGaN层，形成AlGaN：Zn薄垒层，其中，Zn掺杂浓度为1E17atoms/cm3‑5E17atoms/cm3；交替生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层，其中，x＝0.20‑0.25；生长P型AlGaN层；生长掺杂Mg的P型GaN层；降温至650℃‑680℃，保温20min‑30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。