[发明专利]激光退火设备和激光退火方法在审
申请号: | 201710680256.5 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107492515A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 吕祖彬;张宇;谢璞;谢银 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光退火设备和激光退火方法,属于显示技术领域。该激光退火设备包括线状激光器和设置在线状激光器出光方向上的光线切割器;光线切割器包括板状本体,板状本体上设置有由至少两条边限定出的镂空区域,镂空区域的两条边沿预设方向逐渐靠近,线状激光器在预设照射面上的线状光斑的长度方向不与预设方向平行。在使光线切割器和线状激光器沿预设方向相对移动时,能够调节线状激光器的光斑的长度,而在对非晶硅层进行照射时,通过调节光斑的长度就能够使整个非晶硅层转变为多晶硅层,进而解决相关技术中部分非晶硅层未转变为多晶硅层,影响多晶硅层的转变比例的问题。达到了提高多晶硅层的转变比例的效果。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火设备,其特征在于,所述激光退火设备包括:线状激光器和设置在所述线状激光器出光方向上的光线切割器;所述光线切割器包括板状本体,所述板状本体上设置有由至少两条边限定出的镂空区域,所述镂空区域的两条边沿预设方向逐渐靠近,所述线状激光器在预设照射面上的线状光斑的长度方向不与所述预设方向平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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