[发明专利]激光退火设备和激光退火方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种激光退火设备和激光退火方法。

背景技术

激光退火(英文：laser annealing)设备通常包括线状激光器(即发出的激光在照射面上的光斑为线状光斑的激光器)和用于限制线状激光器的光斑长度的光线切割器(英文：beam cutter)。目前，激光退火设备广泛应用于形成多晶硅的流程中。

相关技术在形成多晶硅时，在基台的预设区域形成矩形的非晶硅层，再在非晶硅层和线状激光器之间设置光线切割器，光线切割器上设置有条状镂空区域，条状镂空区域的长度小于线状激光器的线状光斑的长度。线状激光器射出的激光照射到光线切割器上的条状镂空区域时，部分激光能够透过条状镂空区域并在非晶硅上形成被光线切割器截取的线状光斑，之后移动基台，使该线状光斑扫描整个非晶硅层，完成对非晶硅层的激光退火，使非晶硅层转变为多晶硅层。由于在线状光斑平行于非晶硅层的任意一条边时，形成的多晶硅层会发生云纹(英文：mura，mura是指一种亮度不均匀的现象)等不良，该不良在有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)中尤其严重，因而在线状光斑扫描非晶硅层时，线状光斑需要与非晶硅层的一条边构成一个锐角。如图1所示，基台11上形成有非晶硅层A，通过与非晶硅层A任意一条边不平行的线状光斑扫描该非晶硅层A的扫描区域为q。

在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：上述技术为了避免激光照射到基台上损伤基台，线状光斑在非晶硅层上的扫描区域难以完全覆盖非晶硅层，进而导致部分非晶硅层未转变为多晶硅层，影响多晶硅层的转变比例。

发明内容

为了解决相关技术中部分非晶硅层未转变为多晶硅层，影响多晶硅层的转变比例的问题，本发明实施例提供了一种激光退火设备和激光退火方法。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种激光退火设备，所述激光退火设备包括：

线状激光器和设置在所述线状激光器出光方向上的光线切割器；

所述光线切割器包括板状本体，所述板状本体上设置有由至少两条边限定出的镂空区域，所述镂空区域的两条边沿预设方向逐渐靠近，所述线状激光器在预设照射面上的线状光斑的长度方向不与所述预设方向平行。

可选的，所述两条边均呈圆弧状。

可选的，所述两条边相切，且切线与所述线状光斑的长度方向垂直。

可选的，所述两条边均呈四分之一圆弧状。

可选的，所述两条边均为直线边。

可选的，所述两条边相连，且所述两条边构成的夹角的角平分线与所述线状光斑的长度方向垂直。

可选的，所述激光退火设备还包括移动组件，所述移动组件用于使所述线状激光器和所述光线切割器沿所述预设方向相对移动。

可选的，所述移动组件与所述光线切割器连接，用于移动所述光线切割器。

根据本发明的第二方面，提供一种激光退火方法，用于通过第一方面所述的激光退火设备对位于基台上的矩形非晶硅层进行激光退火，所述方法包括：

启动所述线状激光器，所述线状激光器在所述矩形非晶硅层上的线状光斑的长度方向与所述矩形非晶硅层的预设边成预设夹角，所述预设夹角的角度大于0度且小于90度；

使所述矩形非晶硅层与所述激光器相对移动以改变所述线状激光器的线状光斑在所述非晶硅层上的位置，并在所述矩形非晶硅层与所述激光器相对移动时，通过使所述光线切割器和所述线状激光器沿所述预设方向或所述预设方向的反方向相对移动以调节所述线状光斑的长度，使所述线状光斑的长度与目标长度相同，所述目标长度为所述线状光斑所确定的直线在所述矩形非晶硅层所在区域中的长度。

可选的，所述使所述矩形非晶硅层与所述激光器相对移动以改变所述线状激光器的线状光斑在所述非晶硅层上的位置，并在所述矩形非晶硅层与所述激光器相对移动时，通过使所述光线切割器和所述线状激光器沿所述预设方向或所述预设方向的反方向相对移动以调节所述线状光斑的长度，使所述线状光斑的长度与目标长度相同，包括：

移动所述基台以改变所述线状激光器的线状光斑在所述非晶硅层上的位置，并在移动所述基台时，通过使所述光线切割器和所述线状激光器沿所述预设方向或所述预设方向的反方向相对移动来调节所述线状光斑的长度，使所述线状光斑的长度与所述目标长度相同。

可选的，所述激光退火设备还包括与所述光线切割器连接的移动组件，所述移动组件用于移动所述光线切割器，