[发明专利]一种提高环路稳定性的LDO电路

摘要

本发明涉及集成芯片技术领域，尤其涉及的是一种提高环路稳定性的新型LDO电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，所述基准电压产生电路为误差放大器电路提供基准电压，所述偏置电流产生电路为所述误差放大器电路提供偏置电流，所述误差放大器电路的输出端连接次级放大器电路，所述次级放大器电路连接辅助电路，所述次级放大器电路的输出端连接功率管，所述功率管的输出端连接电阻分压反馈电路、负载和外接电容，所述误差放大器电路接收电阻分压反馈电路的反馈电压。本发明在传统低压差线性稳压器的基础上进行改进，提供了LDO电路的环路稳定性。

主权项

1.一种提高环路稳定性的LDO电路，其特征在于，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，所述基准电压产生电路为误差放大器电路提供基准电压Vref，所述偏置电流产生电路为所述误差放大器电路提供偏置电流Ibias，所述误差放大器电路的输出端连接次级放大器电路，所述次级放大器电路连接辅助电路，所述辅助电路包括过温保护电路和短路保护电路，所述次级放大器电路的输出端连接功率管，所述功率管的输出端连接电阻分压反馈电路、负载和外接电容，所述误差放大器电路接收电阻分压反馈电路的反馈电压Vfb；其中，第一PMOS管、第二PMOS管的栅极连接偏置电流产生电路产生的偏置电流Ibias，源极均连接电源电压VIN，第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管和第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极连接基准电压产生电路产生的基准电压Vref，源极连接第三NMOS管的漏极、栅极和第四NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的栅极连接电阻分压反馈电路产生的反馈电压Vfb，源极连接第四NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极和第六NMOS管的栅极；所述第三PMOS的源极连接电源电压VIN，漏极连接第五NMOS管的栅极和第四PMOS管的源极；第四PMOS管的漏极接地，栅极连接第五NMOS管的源极和内部电容的一端，内部电容的另一端连接第三PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极和功率管的栅极，所述第三NMOS管、第四NMOS管和第六NMOS管的源极均接地；所述功率管的源极连接电源电压VIN，漏极即为LDO电路的输出端VOUT，并连接电阻分压反馈电路的一端和外接电容的一端，电阻分压反馈电路和外接电容的另一端均接地，所述电阻分压反馈电路由串联的第一电阻和第二电阻构成，两电阻之间的分压即为反馈电压Vfb。