[发明专利]一种提高环路稳定性的LDO电路有效
申请号: | 201710668824.X | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107463196B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 彭枭雄 | 申请(专利权)人: | 新昌县利果机械有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 312500 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 环路 稳定性 新型 ldo 电路 | ||
本发明涉及集成芯片技术领域,尤其涉及的是一种提高环路稳定性的新型LDO电路,包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路,所述基准电压产生电路为误差放大器电路提供基准电压,所述偏置电流产生电路为所述误差放大器电路提供偏置电流,所述误差放大器电路的输出端连接次级放大器电路,所述次级放大器电路连接辅助电路,所述次级放大器电路的输出端连接功率管,所述功率管的输出端连接电阻分压反馈电路、负载和外接电容,所述误差放大器电路接收电阻分压反馈电路的反馈电压。本发明在传统低压差线性稳压器的基础上进行改进,提供了LDO电路的环路稳定性。
技术领域
本发明涉及集成芯片技术领域,尤其涉及的是一种提高环路稳定性的LDO电路。
背景技术
消费类电子产品已经成为人们日常生活中不可或缺的一部分,而电源管理芯片在电子设备中担负着重要职责,其性能的优劣对整个电路的能耗有直接的影响。而电源管理芯片的种类比较多,其中线性稳压器、开关稳压器(DC/DC)、驱动芯片以及电源管理单元占据了大半江山。而在这几个主要种类中,线性稳压器又占据了最大的市场份额。低压差线性稳压器,简称LDO(low dropout voltage),由于其转换效率高、体积小、低噪声、外接元件少、价格低的特点,成为目前应用最为广泛的电源管理芯片。传统的LDO电路在不同负载电流时频率补偿的难度较大,并且稳定性差。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中LDO电路在不同的负载电流时稳定性差的问题,提供了一种提高环路稳定性的LDO电路。
本发明提供了一种提高环路稳定性的LDO电路,包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路,所述基准电压产生电路为误差放大器电路提供基准电压,所述偏置电流产生电路为所述误差放大器电路提供偏置电流Ibias,所述误差放大器电路的输出端连接次级放大器电路,所述次级放大器电路连接辅助电路,所述辅助电路包括过温保护电路和短路保护电路,所述次级放大器电路的输出端连接功率管,所述功率管的输出端连接电阻分压反馈电路、负载和外接电容,所述误差放大器电路接收电阻分压反馈电路的反馈电压。
其中,第一PMOS管、第二PMOS管的栅极连接偏置电流产生电路产生的偏置电流Ibias,源极均连接电源电压VIN,第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管和第二NMOS管的漏极,第一NMOS管的栅极连接基准电压产生电路产生的基准电压Vref,源极连接第三NMOS管的漏极、栅极和第四NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的栅极连接电阻分压反馈电路产生的反馈电压Vfb,源极连接第四NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极和第六NMOS管的栅极;所述第三PMOS的源极连接电源电压VIN,漏极连接第五NMOS管的栅极和第四PMOS管的源极;第四PMOS管的漏极接地,栅极连接第五NMOS管的源极和内部电容的一端,内部电容的另一端连接第三PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极和功率管的栅极,所述第三NMOS管、第四NMOS管和第六NMOS管的源极均接地;所述功率管的源极连接电源电压VIN,漏极即为LDO电路的输出端VOUT,并连接电阻分压反馈电路的一端和外接电容的一端,电阻分压反馈电路和外接电容的另一端均接地,所述电阻分压反馈电路由串联的第一电阻和第二电阻构成,两电阻之间的分压即为反馈电压Vfb。
本发明所提供的一种提高环路稳定性的LDO电路,有效地解决了现有技术中LDO电路在不同负载电流时稳定性差的问题,在传统低压差线性稳压器的基础上进行改进,提供了LDO环路的稳定性。
附图说明
图1为本发明提供的一种提高环路稳定性的LDO电路总体结构示意图。
图2为本发明提供的一种提高环路稳定性的LDO电路的核心电路结构示意图。
具体实施方式
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