[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710659681.6 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN108461501A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 森井胜巳 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11524;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种导电层中所包含的元素向柱状部的扩散阻挡性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基底层；积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 半导体装置 积层 半导体主体 电荷储存 氧化硅膜 基底层 积层体 绝缘体 氮化硅膜 导电层中 方向延伸 柱状部 阻挡性 体内 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：基底层：积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
