[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

基底层：

积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；

半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；

电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；

氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及

氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具备金属氧化膜，所述金属氧化膜设置在所述导电层与所述氮化硅膜之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具备氧化硅部，所述氧化硅部设置在所述导电层与所述氮化硅膜之间。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于还具备氧化硅部，所述氧化硅部设置在所述金属氧化膜与所述氮化硅膜之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于所述氮化硅膜沿所述积层方向连续地延伸。