[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710658282.8 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107507865B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/02;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法，其中，晶体管的制备方法至少包括：提供一衬底，衬底上制备有栅极结构；于衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，第一侧壁绝缘层覆盖栅极结构，表面极性改质层覆盖第一侧壁绝缘层；于衬底上形成绝缘介质隔离层，绝缘介质隔离层覆盖表面极性改质层；以及，于衬底上形成位于绝缘介质隔离层两侧的栓导电层。本发明通过表面极性改质层和绝缘介质隔离层的直接接触，从而增强对绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，有效减少绝缘介质隔离层中空洞的产生，因而能够有效避免栓导电层之间桥接短路。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制备 方法 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管的制备方法至少包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上制备有栅极结构；于所述衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；于所述衬底上形成绝缘介质隔离层，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层；以及，于所述衬底上形成位于所述绝缘介质隔离层两侧的栓导电层；其中，所述晶体管通过所述表面极性改质层和所述绝缘介质隔离层的直接接触来增强对所述绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，以避免于所述绝缘介质隔离层中形成空洞，从而避免位于所述绝缘介质隔离层两侧的所述栓导电层之间的桥接短路。
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