[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管的制备方法至少包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上制备有栅极结构；

于所述衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；

于所述衬底上形成绝缘介质隔离层，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层；以及，

于所述衬底上形成位于所述绝缘介质隔离层两侧的栓导电层；

其中，所述晶体管通过所述表面极性改质层和所述绝缘介质隔离层的直接接触来增强对所述绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，以避免于所述绝缘介质隔离层中形成空洞，从而避免位于所述绝缘介质隔离层两侧的所述栓导电层之间的桥接短路。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成所述第一侧壁绝缘层、所述表面极性改质层及所述绝缘介质隔离层的过程中，包括：

于所述衬底上形成覆盖所述栅极结构和所述衬底的第一侧壁绝缘材料；

于所述第一侧壁绝缘材料上形成表面极性改质材料；

于所述表面极性改质材料上旋涂所述绝缘介质隔离层前驱物并进行退火，以形成绝缘介质隔离材料；

于所述绝缘介质隔离材料上形成图形化光刻胶；

以所述图形化光刻胶为掩膜依次刻蚀所述绝缘介质隔离材料、所述表面极性改质材料以及所述第一侧壁绝缘材料，从而依次形成所述绝缘介质隔离层、所述表面极性改质层以及所述第一侧壁绝缘层，其中，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构和部分所述衬底；以及，

去除所述图形化光刻胶。

3.根据权利要求2所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述表面极性改质材料在反应腔中形成，其形成方法采用化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺其中之一。

4.根据权利要求2所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述表面极性改质材料包含硅氧氮化物。

5.根据权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述栓导电层之前，所述晶体管的制备方法还包括：于所述衬底上形成第二侧壁绝缘层，所述第二侧壁绝缘层覆盖所述绝缘介质隔离层的侧壁。

6.根据权利要求5所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第二侧壁绝缘层的步骤中，包括：

于所述衬底上形成第二侧壁绝缘材料，所述第二侧壁绝缘材料覆盖所述衬底的上表面、所述第一侧壁绝缘层的侧缘、所述表面极性改质层的侧缘、所述绝缘介质隔离层的侧壁和上表面；以及，

刻蚀所述第二侧壁绝缘材料，直至暴露所述衬底的部分上表面以及所述绝缘介质隔离层的上表面，从而使所述第二侧壁绝缘材料的残留部分包含覆盖于所述第一侧壁绝缘层的侧缘、所述表面极性改质层的侧缘及所述绝缘介质隔离层的侧壁的部位，以得到所述第二侧壁绝缘层。

7.根据权利要求5所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述栓导电层之后，所述晶体管的制备方法还包括：于所述栓导电层上形成位于所述绝缘介质隔离层两侧的金属层。

8.根据权利要求7所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述栓导电层与在所述栓导电层上形成所述金属层的过程中，包括：

于所述衬底上形成覆盖所述绝缘介质隔离层和所述衬底的栓导电材料；

刻蚀所述栓导电材料，直至暴露部分绝缘介质隔离层，从而于所述绝缘介质隔离层两侧分别形成栓导电层；

于所述衬底上形成覆盖所述栓导电层、所述第二侧壁绝缘层和所述绝缘介质隔离层的金属材料；以及，

刻蚀所述金属材料，直至暴露所述绝缘介质隔离层的上表面，从而于所述栓导电层上形成所述金属层。

9.根据权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述表面极性改质层的厚度为2nm~10nm。