[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法，其中，晶体管的制备方法至少包括：提供一衬底，衬底上制备有栅极结构；于衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，第一侧壁绝缘层覆盖栅极结构，表面极性改质层覆盖第一侧壁绝缘层；于衬底上形成绝缘介质隔离层，绝缘介质隔离层覆盖表面极性改质层；以及，于衬底上形成位于绝缘介质隔离层两侧的栓导电层。本发明通过表面极性改质层和绝缘介质隔离层的直接接触，从而增强对绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，有效减少绝缘介质隔离层中空洞的产生，因而能够有效避免栓导电层之间桥接短路。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metallic Oxide SemiconductorField Effect Transistor)是一种被广泛使用在集成电路的晶体管，其制程布局也被广泛使用在集成电路中。在MOSFET的结构中，通常在栅极结构外围与上方覆盖绝缘介质隔离层，并利用形成于绝缘介质隔离层侧壁的侧壁绝缘层隔离栓导体层与栅极结构中的栅极导电层，藉以避免两导电层短路而造成器件(Device)失效。并且，为了使导电层之间具有良好的绝缘能力，需要采用低介电常数的绝缘介质隔离层来进行绝缘。目前，绝缘介质隔离层常采用旋涂淀积技术(SOD，Spin-on Dielectrics)形成，SOD旋涂的绝缘介质具有低的介电常数、高机械强度以及高热稳定性。虽然使用SOD旋涂淀积技术已有较好的黏附性以及间隙填洞能力，但旋涂过程中依然会有空洞产生。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法，用于解决现有技术中SOD旋涂淀积过程中易产生空洞，导致栓导电层之间易发生桥接短路，从而致使器件失效的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶体管的制备方法，其中，所述晶体管的制备方法至少包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上制备有栅极结构；

于所述衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；

于所述衬底上形成绝缘介质隔离层，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层；以及，于所述衬底上形成位于所述绝缘介质隔离层两侧的栓导电层；

其中，所述晶体管通过所述表面极性改质层和所述绝缘介质隔离层的直接接触来增强对所述绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，以避免于所述绝缘介质隔离层中形成空洞，从而避免位于所述绝缘介质隔离层两侧的所述栓导电层之间的桥接短路。

优选地，于所述衬底上形成所述第一侧壁绝缘层、所述表面极性改质层及所述绝缘介质隔离层的过程中，包括：

于所述衬底上形成覆盖所述栅极结构和所述衬底的第一侧壁绝缘材料；

于所述第一侧壁绝缘材料上形成表面极性改质材料；

于所述表面极性改质材料上旋涂所述绝缘介质隔离层前驱物并进行退火，以形成绝缘介质隔离材料；

于所述绝缘介质隔离材料上形成图形化光刻胶；

以所述图形化光刻胶为掩膜依次刻蚀所述绝缘介质隔离材料、所述表面极性改质材料以及所述第一侧壁绝缘材料，从而依次形成所述绝缘介质隔离层、所述表面极性改质层以及所述第一侧壁绝缘层，其中，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构和部分所述衬底；以及，

去除所述图形化光刻胶。

优选地，所述表面极性改质材料在反应腔中形成，其形成方法采用化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺其中之一。

优选地，所述表面极性改质材料包含硅氧氮化物。