[发明专利]包含高密度互连的半导体装置封装和堆叠封装组合件有效

专利信息
申请号: 201710646000.2 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107731787B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 约翰·理查德·杭特;陈慈佑;洪志斌;王陈肇 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体装置封装包含电子装置和再分布堆叠。所述再分布堆叠包含电介质层,其安置于所述电子装置的作用表面上方,且界定暴露所述电子装置的接触垫的至少一部分的开口。所述再分布堆叠还包含安置于所述电介质层上方且包含迹线的再分布层。所述迹线的第一部分邻近于所述开口沿纵向方向在所述电介质层之上延伸,和所述迹线的第二部分安置在所述开口中,并在所述迹线的所述第一部分与所述接触垫的所述暴露部分之间延伸。所述迹线的所述第二部分具有沿与所述纵向方向正交的横向方向的最大宽度,且所述迹线的所述第二部分的最大宽度不超过约所述迹线的所述第一部分的宽度的3倍。
搜索关键词: 包含 高密度 互连 半导体 装置 封装 堆叠 组合
【主权项】:
一种半导体装置封装,其包括:电子装置,其包含作用表面,以及邻近于所述作用表面的接触垫;以及再分布堆叠,其包含:电介质层,其安置于所述作用表面上方,且界定暴露所述接触垫的至少一部分的第一开口;以及再分布层RDL,其安置于所述电介质层上方,且包含第一迹线,其中所述第一迹线包含:第一部分,其邻近于所述第一开口沿第一纵向方向在所述电介质层之上延伸;以及第二部分,其安置在所述第一开口中,且在所述第一迹线的所述第一部分与所述接触垫的所述暴露部分之间延伸,其中所述第一迹线的所述第二部分沿与所述第一纵向方向正交的第一横向方向具有最大宽度,且所述第一迹线的所述第二部分的所述最大宽度不超过所述第一迹线的所述第一部分的宽度的3倍。
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