[发明专利]包含高密度互连的半导体装置封装和堆叠封装组合件

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

电子装置，其包含作用表面以及接触垫；以及

再分布堆叠，其包含：

电介质层，其安置于所述作用表面上方，且界定暴露所述接触垫的至少一部分的第一开口；以及

再分布层RDL，其安置于所述电介质层上方，且包含第一迹线，

其中所述第一迹线包含：第一部分，其安置于所述第一开口上方沿第一纵向方向在所述电介质层之上延伸；以及第二部分，其安置在所述第一开口中，且在所述第一迹线的所述第一部分与所述接触垫的所述暴露部分之间延伸，

其中所述第一迹线的所述第二部分沿与所述第一纵向方向正交的第一横向方向具有最大宽度，且所述第一迹线的所述第二部分的所述最大宽度不超过所述第一迹线的所述第一部分的宽度的3倍，其中所述RDL进一步包含至少两个额外迹线，其在所述电介质层之上延伸，且与安置在所述额外迹线下方的所述接触垫重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一迹线的所述第二部分的所述最大宽度不超过所述第一迹线的所述第一部分的所述宽度的2.5倍。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一迹线的所述第二部分的所述最大宽度与所述第一迹线的所述第一部分的所述宽度实质上相同。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述电介质层中的所述第一开口沿所述第一横向方向具有最大宽度，且所述第一迹线的所述第二部分的所述最大宽度小于所述第一开口的所述最大宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一迹线到所述接触垫上的投影面积不超过所述接触垫的总面积的15％。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括包封所述电子装置的若干部分的封装主体，其中所述封装主体包含前表面和与所述前表面相对的后表面，所述电子装置的所述作用表面至少部分地从所述封装主体的所述前表面暴露，且所述再分布堆叠安置于所述封装主体的所述前表面上方。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述电子装置是第一电子装置，所述半导体装置封装进一步包括第二电子装置，其中所述封装主体包封所述第二电子装置的若干部分，且所述RDL将所述第一电子装置电连接到所述第二电子装置。

8.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其进一步包括内插件组件，所述内插件组件包含下表面、上表面，以及从所述下表面延伸到所述上表面的导电通孔，其中所述封装主体包封所述内插件组件的若干部分，所述内插件组件的所述下表面至少部分地从所述封装主体的所述前表面暴露，所述内插件组件的所述上表面至少部分地从所述封装主体的所述后表面暴露，且所述RDL将所述电子装置电连接到所述内插件组件。

9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述电介质层界定暴露所述导电通孔的至少一部分的第二开口，所述RDL包含第二迹线，所述第二迹线包含：第一部分，其安置于所述第二开口上方沿第二纵向方向在所述电介质层之上延伸；以及第二部分，其安置在所述第二开口中，且在所述第二迹线的所述第一部分与所述导电通孔的所述暴露部分之间延伸，所述第二迹线的所述第二部分沿与所述第二纵向方向正交的第二横向方向具有最大宽度，且所述第二迹线的所述第二部分的所述最大宽度不超过所述第二迹线的所述第一部分的宽度的3倍。

10.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述再分布堆叠是第一再分布堆叠，所述半导体装置封装进一步包括安置于所述封装主体的所述后表面上方的第二再分布堆叠。