[发明专利]包含高密度互连的半导体装置封装和堆叠封装组合件有效
申请号: | 201710646000.2 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107731787B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 约翰·理查德·杭特;陈慈佑;洪志斌;王陈肇 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 高密度 互连 半导体 装置 封装 堆叠 组合 | ||
一种半导体装置封装包含电子装置和再分布堆叠。所述再分布堆叠包含电介质层,其安置于所述电子装置的作用表面上方,且界定暴露所述电子装置的接触垫的至少一部分的开口。所述再分布堆叠还包含安置于所述电介质层上方且包含迹线的再分布层。所述迹线的第一部分邻近于所述开口沿纵向方向在所述电介质层之上延伸,和所述迹线的第二部分安置在所述开口中,并在所述迹线的所述第一部分与所述接触垫的所述暴露部分之间延伸。所述迹线的所述第二部分具有沿与所述纵向方向正交的横向方向的最大宽度,且所述迹线的所述第二部分的最大宽度不超过约所述迹线的所述第一部分的宽度的3倍。
本申请案主张2016年11月21日申请的第62/424,901号美国临时申请案的权益,2016年8月11日申请的第62/373,803号美国临时申请案的权益,所述申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及半导体装置封装和堆叠封装组合件中的高密度互连。
背景技术
为了解决朝小型化和增加的功能性的趋势,半导体装置封装可将多个电子装置集成在封装内,其中所述电子装置通过再分布层(RDLs)互连。随着更多的功能性并入到电子装置中,半导体装置封装内的必备装置到装置互连的数目已大大增加。装置到装置互连(device-to-device interconnections)的增加数目对用于RDLs迹线的可用布线区域造成相当大的约束。为了提供互连,RDLs可包含具有大于迹线宽度的尺寸的相对较大捕获垫(capture pads)。这些捕获垫占用宝贵的覆盖面积(footprint area),且妨碍了可在邻近捕获垫之间布线的迹线的高密度。
针对此背景,需要开发本发明的实施例。
发明内容
在根据一些实施例的一个方面中,一种半导体装置封装包含:(1)电子装置,其包含作用表面和邻近于所述作用表面的接触垫;以及(2)再分布堆叠,其包含(a)电介质层,其安置于所述作用表面上方,且界定暴露所述接触垫的至少一部分的开口;以及(b)RDL,其安置于所述电介质层上方,且包含迹线。所述迹线包含:第一部分,其邻近于所述开口沿纵向方向在所述电介质层之上延伸;以及第二部分,其安置在所述开口中,且在所述迹线的第一部分与所述接触垫的暴露部分之间延伸。所述迹线的所述第二部分具有沿与所述纵向方向正交的横向方向的最大宽度,且所述迹线的所述第二部分的最大宽度不超过约所述迹线的所述第一部分的宽度的3倍。
在根据一些实施例的另一方面中,一种半导体装置封装包含:(1)电子装置,其包含作用表面和邻近于所述作用表面的接触垫;(2)所述电子装置的封装主体包封部分,其中所述封装主体包含前表面和与所述前表面相对的后表面;(3)导电柱,其在电子装置的接触垫与封装主体的前表面之间延伸;以及(4)再分布堆叠,其包含(a)电介质层,其安置于所述封装主体的前表面上方,且界定暴露导电柱的末端的至少一部分的开口;以及(b)RDL,其安置于电介质层上方,且包含迹线。所述迹线包含:第一部分,其在所述电介质层之上延伸;以及第二部分,其安置在所述开口中,且在所述迹线的第一部分与导电柱的末端的暴露部分之间延伸。所述迹线的所述第一部分邻近于所述开口沿纵向方向在电介质层之上延伸,所述迹线的所述第二部分沿与所述纵向方向正交的横向方向具有最大宽度,且所述迹线的所述第二部分的所述最大宽度不超过约所述迹线的所述第一部分的宽度的3倍。
在根据一些实施例的另一方面中,一种半导体装置封装包含:(1)封装主体,其包含前表面和与所述前表面相对的后表面;以及(2)再分布堆叠,其邻近于所述封装主体的前表面,且包含(a)第一RDL,其包含第一迹线;(b)电介质层,其安置于所述第一RDL上方;以及(c)第二RDL,其包含在所述电介质层之上延伸的第二迹线,且通过所述电介质层电连接到第一迹线。所述第一迹线的宽度沿与所述第二迹线重叠的所述第一迹线的至少一长度实质上均匀,所述第二迹线安置于所述第一迹线上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710646000.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。