[发明专利]半导体结构有效

专利信息
申请号: 201710628535.7 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN109309020B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 张峰溢;李甫哲;詹益旺;廖家樑;童宇诚;陈建豪;王嘉鸿 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L27/108
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体结构,包含一材料层,具有一切割道区,一矩形区域位于切割道区中,该矩形区域具有一对第一边缘与该切割道区的宽度方向平行,一对第二边缘与该切割道区的长度方向平行,一对第一图案沿着该对第一边缘埋设在该材料层中,一对第二图案沿着该对第二边缘埋设在该材料层中,其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
1.一种半导体结构,包含:材料层,包含一切割道区;矩形区域,位于该切割道区中,其中该矩形区域包含一对第一边缘,与该切割道区的宽度方向平行,以及一对第二边缘,与该切割道区的长度方向平行;一对第一图案,分别沿着该对第一边缘埋设在该材料层中,;以及一对第二图案,分别沿着该对第二边缘埋设在该材料层中,其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。
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