[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构,包含:

材料层，包含一切割道区；

矩形区域，位于该切割道区中，其中该矩形区域包含一对第一边缘，与该切割道区的宽度方向平行，以及一对第二边缘，与该切割道区的长度方向平行；

一对第一图案，位于该矩形区域的外部并且分别沿着该对第一边缘埋设在该材料层中；以及

一对第二图案，位于该矩形区域的外部并且分别沿着该对第二边缘埋设在该材料层中，其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一图案与该第二图案共同构成一用于光刻制作工艺的对准标记(overlay mark)。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二图案的长度小于该第二边缘的长度。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一图案的长度大于该第一边缘的长度。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一图案的两端与该对第二图案的边缘切齐。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一图案的两端不与该对第二图案的边缘切齐。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一图案的长度等于该第一边缘的长度。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二图案的长度大于该第二边缘的长度，且该第一图案的长度小于该第一边缘的长度。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一图案与该第二图案具有不同的宽度。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中从顶视图来看，该第一图案与该第二图案分别包含至少一长条状的特征图案。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该第一图案包含单条该特征图案，该第二图案包含多条互相平行的该特征图案。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其中该第二图案的该特征图案的数量大于该第一图案的该特征图案的数量。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其中该特征图案是由多个开口构成的阵列图案。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中该多个开口是多个中空柱状体的开口，该多个中空柱状体埋设在该材料层中并贯穿该材料层。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该材料层包含顶支撑层、底支撑层以及夹设在该顶支撑层与该底支撑层之间的牺牲介电层。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该牺牲介电层被部分移除而形成夹设在该顶支撑层与该底支撑层之间的一空气间隙，剩余的该牺牲介电层成为夹设在该顶支撑层与该底支撑层之间的一第三图案。

17.如权利要求16所述的半导体结构，其中该第三图案与该第一图案重叠，但不与该第二图案重叠。

18.如权利要求16所述的半导体结构，其中该第一图案包含部分该中空柱状体埋设在该顶支撑层、该底支撑层以及该第三图案之中，其余部分该中空柱状体埋设在该顶支撑层、该底支撑层以及该空气间隙之中。

19.如权利要求16所述的半导体结构，其中该第二图案的各该中空柱状体是埋设在该顶支撑层、该底支撑层以及该空气间隙之中。