[发明专利]一种制造半导体器件的方法、相应的器件及电路在审
| 申请号： | 201710625394.3 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107731778A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | A·L·卡纳利;L·维加;L·马吉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制造半导体器件的方法、相应的器件及电路。例如，一种制造半导体器件的方法包括提供用于该器件的第一衬底，该第一衬底具有前表面和后表面，提供用于该器件的第二衬底，该第二衬底具有前表面和后表面，通过将该第二衬底的该后表面与该第一衬底的该前表面联接来联接该第一衬底与该第二衬底，从而产生阶梯状结构，其中，该第一衬底的该前表面的一部分未被该第二衬底覆盖，在未被该第二衬底覆盖的该部分处，将第一集成电路(例如，光学集成电路)与该第一衬底的该前表面联接，以及通过安排该第二衬底与该第一集成电路之间桥状延伸的第二集成电路来将所述第二集成电路(例如，电子集成电路)与该第二衬底和该第一集成电路联接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 半导体器件 方法 相应 器件 电路 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：‑提供用于所述器件的第一衬底(10)，所述第一衬底(10)具有前表面和后表面，‑提供用于所述器件的第二衬底(12)，所述第二衬底(12)具有前表面和后表面，‑通过将所述第二衬底(12)的所述后表面与所述第一衬底(10)的所述前表面联接来联接(120，124)所述第一衬底(10)与所述第二衬底(12)，从而产生阶梯状结构，其中，所述第一衬底(10)的所述前表面的一部分未被所述第二衬底(12)覆盖，‑在未被所述第二衬底(12)覆盖的所述部分处，将第一集成电路(14)与所述第一衬底(10)的所述前表面联接，以及‑通过安排所述第二衬底(12)与所述第一集成电路(14)之间桥状延伸的第二集成电路(16)来将所述第二集成电路(16)与所述第二衬底(12)和所述第一集成电路(14)联接。
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