[发明专利]双包封的功率半导体模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710621609.4 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN107665867B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: R·拜尔雷尔;H·哈通 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 与功率半导体模块有关的一个方面。所述模块包括模块壳体、衬底、和附接到所述衬底的半导体芯片。所述半导体芯片设置在所述模块壳体中。介电的第一包封体设置在所述模块壳体中,与所述半导体芯片和所述衬底均物理接触并且具有第一弹性模量。介电的第二包封体设置在所述模块壳体中并且具有第二弹性模量。第一包封体是聚合物并且设置在所述衬底与所述第二包封体之间。所述半导体芯片设置在所述第一包封体与所述衬底之间。另外,所述第一弹性模量大于所述第二弹性模量。
搜索关键词: 双包封 功率 半导体 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
一种功率半导体模块,所述功率半导体模块包括:模块壳体;衬底;附接到所述衬底并设置在所述模块壳体中的半导体芯片;介电的第一包封体,所述第一包封体设置在所述模块壳体中,与所述半导体芯片和所述衬底均物理接触并且具有第一弹性模量;介电的第二包封体,所述第二包封体设置在所述模块壳体中并且具有第二弹性模量;其中所述第一包封体是聚合物并且设置在所述衬底与所述第二包封体之间;所述半导体芯片设置在所述第一包封体与所述衬底之间;和所述第一弹性模量大于所述第二弹性模量。
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