[发明专利]双包封的功率半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体模块，所述功率半导体模块包括：

模块壳体；

衬底；

附接到所述衬底并设置在所述模块壳体中的半导体芯片；

介电的第一包封体，所述第一包封体设置在所述模块壳体中，与所述半导体芯片和所述衬底均物理接触并且具有第一弹性模量；

介电的第二包封体，所述第二包封体设置在所述模块壳体中并且具有第二弹性模量；

其中，所述第一包封体是硅橡胶并且设置在所述衬底与所述第二包封体之间；

其中，所述半导体芯片设置在所述第一包封体与所述衬底之间；

其中，所述第一弹性模量大于所述第二弹性模量；

其中，所述第二包封体包括或由硅酮泡沫组成；

其中，所述功率半导体模块还包括焊线；

其中，所述半导体芯片包括第一芯片金属化部；

其中，所述焊线在第一结合位置处直接结合到所述第一芯片金属化部；

其中，所述焊线至少在所述第一结合位置处嵌入所述第一包封体中；

其中，所述衬底包括介电的绝缘载体和附接到所述绝缘载体的第一衬底金属化层；

其中，所述半导体芯片设置在所述第一衬底金属化层之上；

其中，所述焊线在第二结合位置处直接结合到所述第一衬底金属化层；和

其中，所述焊线部分地嵌入所述第一包封体和第二包封体中。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，第一弹性模量在25℃的温度下大于0.14MPa。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述第一包封体邻接所述第二包封体。

4.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述第二弹性模量在25℃的温度下小于0.1MPa。

5.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述第一包封体邻接所述半导体芯片的半导体本体。

6.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述第一包封体是保形涂层。

7.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述半导体芯片设置在所述模块壳体的第一侧壁与第二侧壁之间，其中，所述第一包封体在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间连续地延伸。

8.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中：

所述半导体芯片设置在所述模块壳体的第一侧壁与第二侧壁之间；和

所述第二包封体在所述第一侧壁所述第二侧壁之间连续地延伸。

9.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，应用以下的至少一种：

所述第一包封体在垂直于所述衬底的方向上具有小于所述半导体芯片的厚度加400μm的第一高度；和

所述第二包封体在垂直于所述衬底的方向上具有至少3mm的第二高度。

10.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述半导体芯片完全设置在所述第一包封材料与所述衬底之间。

11.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，第一弹性模量在25℃的温度下大于1GPa。