[发明专利]在低温下生长薄外延膜的方法

摘要

本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

主权项

一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：于半导体鳍片之上形成外延膜，所述半导体鳍片在所述基板上形成，其中所述外延膜包含具有第一刻面与第二刻面的顶表面，所述第一刻面具有暴露的{111}平面，且所述第一刻面具有暴露的{111}平面；以及通过在约425℃或小于425℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将所述顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在所述外延膜的所述顶表面上形成保形钝化层，所述第一前驱物气体包含一或多个硅烷，所述第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。