[发明专利]在低温下生长薄外延膜的方法

权利要求书

1.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

于半导体鳍片之上形成外延膜，所述半导体鳍片在所述基板上形成，其中所述外延膜包含具有第一刻面与第二刻面的顶表面，所述第一刻面具有暴露的{111}平面，且所述第一刻面具有暴露的{111}平面；以及

通过在约425℃或小于425℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将所述顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在所述外延膜的所述顶表面上形成保形钝化层，所述第一前驱物气体包含一或多个硅烷，所述第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一前驱物气体包括硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、丙硅烷(Si₃H₈)、四硅烷(Si₄H₁₀)、四乙氧基硅烷(TEOS)或上述的组合。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二前驱物气体包括一氯硅烷(SiH₃Cl)、二氯硅烷(Si₂H₂Cl₂)、三氯硅烷(SiHCl₃)、六氯二硅烷(Si₂Cl₆)、八氯三硅烷(Si₃Cl₈)、四氯化硅(STC)或上述的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述净化气体包括氦、氩、氮、氢、形成气体或上述的组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜为硅锗(SiGe)，所述硅锗在硅中的锗的浓度为约30％或高于30％。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述第一前驱物气体为乙硅烷及所述第二前驱物气体为六氯二硅烷(Si₂Cl₆)。

7.如权利要求3所述的方法，其中所述第一前驱物气体为硅烷(SiH₄)及所述第二前驱物气体为六氯二硅烷(Si₂Cl₆)。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

将净化气体引入所述第一前驱物气体的流动与所述第二前驱物气体的流动之间的所述处理腔室中。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述净化气体流动之前，用脉冲输送(pulse)所述第一前驱物气体的流动约5秒至约25秒。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述净化气体流动之前，用脉冲输送(pulse)所述第一前驱物气体的流动约350秒至约550秒。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述第一刻面的一端部与所述第二刻面的一端部互相接触。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述外延膜的至少所述顶表面上形成保形钝化层之前，在侧向维度上移除所述第一刻面的一部分和所述第二刻面的一部分。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜和所述保形钝化层在相同的处理腔室中形成。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述外延膜的至少所述顶表面上形成保形钝化层之后，在所述保形钝化层的一部分之上形成栅极电极。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜为纯镉(Ge)。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜为磷掺杂碳化硅(Si:CP)。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜为磷掺杂硅(Si:P)。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述外延膜为硼掺杂硅锗(SiGe:B)。