[发明专利]碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201710617988.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107570190B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 周成赟;曾光明;黄丹莲;赖萃;张辰;程敏;胡亮;熊炜平;秦蕾;文晓凤;温铭 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/10 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 黄丽;张丽娟 |
| 地址： | 410082 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：S1、以三聚氰胺、三聚氰酸和巴比妥酸为原料制备碳掺杂氮化碳；S2、将步骤S1所得碳掺杂氮化碳溶解，涂覆于预处理后的二氧化锡透明导电玻璃上，烘烤后得碳掺杂氮化碳薄膜电极。本发明具有工艺简单、成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氮化 薄膜 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、以三聚氰胺、三聚氰酸和巴比妥酸为原料制备碳掺杂氮化碳；S2、将步骤S1所得碳掺杂氮化碳溶解，涂覆于预处理后的二氧化锡透明导电玻璃上，烘烤后得碳掺杂氮化碳薄膜电极。
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